Разработанные российские ученые материалы на основе кремния и германия помогут в развитии электроники в будущем.

Исследователи из Курчатовского института создали новый класс материалов на базе кремния и германия, которые могут стать базой для создания новых устройств наноэлектроники и спинтроники. Посвященные разработке статьи опубликованы в Journal of Materials Science & Technology и журнале Small.

Современная полупроводниковая электроника подошла к своему технологическому пределу. Ее дальнейшее развитие требует новых материалов, которые обеспечат компактность и функциональность устройств. Для решения этой наилучшим образом могут подходить материалы, обладающие слоистой структурой — которая определяет их свойства.

Российские ученые создали технологию их синтеза с использованием двумерных прекурсоров — исходных компонентов реакции — на основе аналогов графена. Для интеграции их с полупроводниковой платформой использовались кремниевые и германиевые подложки.

Материалы обладают различными функциональными свойствами, отметил руководитель проекта, ведущий научный сотрудник лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС-природоподобных технологий Андрей Токмачёв.

Так, тонкопленочный материал SrAlSi на кремниевой подложке демонстрирует сверхпроводящие свойства даже при толщине в несколько монослоев. А для материалов на германиевой подложке характерна высокая подвижность носителей заряда. Один из них благодаря слоистой структуре стал магнитом — что считалось взаимоисключающим для материалов с высокая подвижность носителей .

Источник: Ferra