Несмотря на проблемы в мире компьютерных комплектующих, производители продолжают демонстрировать свои новейшие разработки. Так, например, Samsung создала и показала модуль оперативной памяти DDR5, объём которого 512 ГБ.

В основу решения легла технологий High-K Metal Gate (HKMG), пишет сама компания. Её суть заключается в использовании диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов.

Такая память, разумеется, создавалась не для совсем обычных домашних компьютеров. “Целевой аудиторией» такого решения, скорее, являются ЦОД и суперкомпьютеры.

Интересной особенностью южнокорейской разработки является то, что специалистам компании удалось на одном модуле разместить восемь слоёв микросхем DRAM объёмом 16 ГБ. Они, в свою очередь, были объединены через объёмную компоновку с межслойными соединениями.

Источник: Ferra