Huawei подала патентную заявку на сканер для фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). Если компания действительно сможет изготовить такой и добьётся достойной производительности, то сможет производить чипы по технологиям класса менее 7 нм.

Сообщается, что патентная заявка распространяется на все важнейшие компоненты сканера EUV, включая генератор света EUV с длиной волны 13,5 нм, набор отражающих зеркал, систему литографии и “технологии управления контролем».

Конечно, подача заявки на патент не равносильна возможности создать сканер EUV на самом деле. Но она свидетельствует, как минимум, о желании компании развиваться.

Источник: Ferra