Учёные нескольких российских институтов разработали новую технологию производства деталей для космической промышленности

Ученые из Центра компетенций НТИ “Фотоника” при Алферовском университете разработали новый тип диода на основе нитрида галлия (GaN), который может применяться в различных электронных устройствах, включая космическую электронику. Этот диод с барьером Шоттки создан с использованием нитевидных нанокристаллов нитрида галлия.

Профессор Иван Мухин объяснил, что нитрид галлия является интересным полупроводниковым материалом, который может использоваться в создании нового поколения электронных компонентов для силовой электроники, сверхвысокочастотной электроники и оптоэлектроники. Он также отметил, что диоды Шоттки, основанные на энергетическом барьере между металлом и полупроводником, могут выполнять различные функции, например, преобразовывать переменный ток в постоянный или генерировать электромагнитное излучение.

Ученые Центра НТИ “Фотоника” синтезировали нитевидные нанокристаллы нитрида галлия и создали диоды, которые показали отличные характеристики в частотном диапазоне до 160 ГГц. Они отметили, что использование кремниевых подложек для синтеза нанокристаллов имеет экономические преимущества, так как кремний является основным материалом в полупроводниковой промышленности.

Этот прорыв в разработке диодов открывает новые возможности для создания компонентов систем связи следующего поколения, а также для различных датчиков и устройств интернета вещей. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nanotechnology.

Источник: Ferra