Руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН в Санкт-Петербурге Сергей Кукушкин рассказал, что ученые из ИПМаш РАН начали работу над созданием новых полупроводников на основе карбида кремния, которые в дальнейшем можно будет использовать в сфере 5G связи, пишет ТАСС.
На основе этой разработки можно будет производить транзисторы с высокими характеристиками, которые будут использоваться в сфере 5G связи.
Мы начали крупный проект, который был поддержан грантом Российского научного фонда. Его суть состоит в том, что в следующие три года мы будем разрабатывать специальные подложки кубического карбида кремния на кремнии для роста транзисторных гетероструктур нитрида галлия с высокой подвижностью носителей заряда. Это будет база для создания микроэлектроники нового поколения, которой нет еще нигде в мире.
Сергей Кукушкин Руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН в Санкт-Петербурге
По словам Сергея Кукушкина, эта технология может привести к созданию первого высокотехнологичного опытного производства слоев карбида кремния на кремниевых подложках в России. Она позволит развить микроэлектронику нового поколения, а также микросхемы для 5G связи, обеспечивая стране ведущие позиции в области производства передовых полупроводниковых материалов.
