Ученые из Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета “ЛЭТИ” и Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН разработали новый экологический материал для оптоэлектроники. Эта технология отличается высокой эффективностью и экологической безопасностью, подчеркнул доцент кафедры микро- и наноэлектроники ЛЭТИ, Дмитрий Фирсов, пишет ТАСС.
Мы разработали новые полупроводниковые наноструктуры для фотоприемников и излучателей ИК-спектра. Их особенностью является принципиальная совместимость с современной технологией массового производства электронных компонентов на основе кремния. По сравнению с традиционно используемыми для создания инфракрасных излучателей полупроводниковыми соединениями, они не только могут быть встроены напрямую в интегральные оптоэлектронные схемы, но и являются более экологичными благодаря отсутствию таких компонентов, как ртуть и мышьяк.
Дмитрий Фирсов Доцент кафедры микро- и наноэлектроники ЛЭТИ
Материал создан на основе кремния, германия и олова, их комбинация обеспечивает уникальные свойства. Гетероструктуры синтезировали методом молекулярно-лучевой эпитаксии, создавая упорядоченные слоистые структуры в условиях вакуума. Этот материал может стать основой для фотонных кристаллов, способных преобразовывать электрические сигналы в оптические и обратно, что обещает значительный прогресс в разработке электронных компонентов.
