Исследователи из EPFL значительно улучшили полупроводниковые лазеры, что вызвало волну ажиотажа в фотонике и открыло двери для многих применений.

Команда под руководством профессора Камиля Бреса разработала лазерный источник в масштабе чипа, который не только повышает производительность полупроводникового лазера, но и генерирует более короткие волны, заполняя давний технологический пробел. Эта инновация имеет далеко идущие последствия для телекоммуникаций, метрологии и точных приложений.

Прорыв заключается в соединении существующих полупроводниковых лазеров с чипом из нитрида кремния, в результате чего получается гибридное устройство, излучающее очень равномерный и точный свет как в ближнем инфракрасном, так и в видимом диапазонах. Благодаря улучшению когерентности и смещению лазерного излучения в сторону видимого спектра, новаторская работа EPFL может изменить отрасли, зависящие от лазерных технологий, проложив путь к созданию более компактных и эффективных устройств и даже повлияв на такие области, как биомедицинская визуализация и точный хронометраж.

Источник: Ferra